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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Heterostructures Gallium nitride GaN Schottky barrier diode Aluminum gallium nitride Graphene 6H-SiC Diffraction Microcavity Metalens High electron mobility transistor HEMT Light emitting diodes GaN-on-Si Nitrides Nitrures d'éléments III CVD Quantum wells Molecular beam epitaxy MBE Caractérisation Coalescence Boron nitride Photoluminescence Optical properties Millimeter-wave power density III-nitrides Normally-off Atomic force microscopy Strong coupling Transmission electron microscopy Croissance Traps Transistor Electron holography AlGaN/GaN Contraintes HEMT ZnO Silicon Semiconducteurs Diodes électroluminescentes Metasurfaces LPCVD Holography GaN High electron mobility transistor Excitons Doping Chemical vapor deposition Group III-nitrides AlGaN DLTFS AlN LED GaN HEMT High electron mobility transistors Silicon carbide III-nitride semiconductors Boîtes quantiques Nitrure de gallium Gallium nitride Microscopie électronique en transmission Zinc oxide Epitaxy MOCVD Characterization LEDs Selective area growth Bullseye antennas 3C–SiC Molecular beam epitaxy 2D materials Metasurface Quantum dots Atom probe tomography Al Electrical properties and parameters Free-standing GaN Defects AlGaN/GaN HEMT Spectroscopy Cathodoluminescence Nanoparticles CRYSTALS Épitaxie InGaN Dislocations III-N Chemical vapor deposition processes Épitaxie par jets moléculaires Bending Bond order wave Silica MBE Compressive stress Tunnel junction Nanowire Creep Silicium Aluminum nitride Semiconductors Nanostructures