Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium

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Julien Givernaud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915829
Aurelian Crunteanu
Jean-Christophe Orlianges
Arnaud Pothier
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00437197 , version 1 (30-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00437197 , version 1

Citer

Julien Givernaud, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Arnaud Pothier, Corinne Champeaux, et al.. Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium. 16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-5 Session Orale. ⟨hal-00437197⟩
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