Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium

(1) , (1) , (1) , (1) , (2) , (2) , (1)
1
2
Julien Givernaud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915829
MINACOM
Aurelian Crunteanu
MINACOM
Jean-Christophe Orlianges
MINACOM
CV
Arnaud Pothier
MINACOM
CV
Corinne Champeaux
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Alain Catherinot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915830
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
MINACOM

Marie-Laure Guillat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00437197

Soumis le : lundi 30 novembre 2009-08:41:44

Dernière modification le : samedi 26 mars 2022-04:27:45

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00437197 , version 1 (30-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00437197 , version 1

Citer

Julien Givernaud, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Arnaud Pothier, Corinne Champeaux, et al.. Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium. 16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-5 Session Orale. ⟨hal-00437197⟩

Exporter

BibTeX TEI Dublin Core DC Terms EndNote Datacite

Collections

UNILIM CNRS SPCTS SPCTS-AXE2 XLIM IPAM INC-CNRS IRCER IRCER-AXE2 IMPEO
100 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook Twitter LinkedIn More