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Communication dans un congrès

Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium

Julien Givernaud 1 Aurelian Crunteanu 1 Jean-Christophe Orlianges 1 Arnaud Pothier 1 Corinne Champeaux 2 Alain Catherinot 2 Pierre Blondy 1 
1 MINACOM
XLIM - XLIM
2 Axe 2 : procédés de traitements de surface
SPCTS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00437197
Contributeur : Marie-Laure Guillat Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : lundi 30 novembre 2009 - 08:41:44
Dernière modification le : samedi 26 mars 2022 - 04:27:45

Identifiants

  • HAL Id : hal-00437197, version 1

Collections

UNILIM | CNRS | SPCTS | SPCTS-AXE2 | XLIM | IPAM | INC-CNRS | IRCER | IRCER-AXE2 | IMPEO

Citation

Julien Givernaud, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Arnaud Pothier, Corinne Champeaux, et al.. Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium. 16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-5 Session Orale. ⟨hal-00437197⟩

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