Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium

Julien Givernaud 1 Aurelian Crunteanu 1 Jean-Christophe Orlianges 1 Arnaud Pothier 1 Corinne Champeaux 2 Alain Catherinot 2 Pierre Blondy 1
1 MINACOM
XLIM - XLIM
2 Axe 2 : procédés de traitements de surface
SPCTS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
Type de document :
Communication dans un congrès
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Contributeur : Marie-Laure Guillat <>
Soumis le : lundi 30 novembre 2009 - 08:41:44
Dernière modification le : mardi 12 novembre 2019 - 14:06:03

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  • HAL Id : hal-00437197, version 1

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Citation

Julien Givernaud, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Arnaud Pothier, Corinne Champeaux, et al.. Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium. 16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-5 Session Orale. ⟨hal-00437197⟩

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