Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium

Julien Givernaud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915829
MINACOM
Aurelian Crunteanu
MINACOM
Jean-Christophe Orlianges
MINACOM
CV
Arnaud Pothier
MINACOM
CV
Corinne Champeaux
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Alain Catherinot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915830
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
MINACOM

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Soumis le : lundi 30 novembre 2009-08:41:44

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00437197 , version 1 (30-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00437197 , version 1

Citer

Julien Givernaud, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Arnaud Pothier, Corinne Champeaux, et al.. Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium. 16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-5 Session Orale. ⟨hal-00437197⟩

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