Nitriding process at low temperature for thin metal films in (Ar-N2-H2) expanding ternary plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Nitriding process at low temperature for thin metal films in (Ar-N2-H2) expanding ternary plasma

Said Touimi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915589
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Isabelle Jauberteau
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Sébastien J. Weber
Laboratoire de physique des matériaux
CV
Annie Bessaudou
MINACOM
Armand Passelergue
XLIM
Richard Mayet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949786
Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
Jean-Louis Jauberteau
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915590
Axe 2 : procédés de traitements de surface
A. Aubreton
  • Fonction : Auteur

Marie-Laure Guillat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00438452

Soumis le : jeudi 3 décembre 2009-16:50:16

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00438452 , version 1 (03-12-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00438452 , version 1

Citer

Said Touimi, Isabelle Jauberteau, Sébastien J. Weber, Annie Bessaudou, Armand Passelergue, et al.. Nitriding process at low temperature for thin metal films in (Ar-N2-H2) expanding ternary plasma. Innovations in Thin Films Processing and Characterization (IFTPC), Nov 2009, Nancy, France. ⟨hal-00438452⟩

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