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Communication dans un congrès
Performances of AlInN/GaN HEMTs for Power Applications at Microwave Frequencies
Olivier Jardel
1
Guillaume Callet
2
J. Dufraisse
N. Sarazin
3
E. Chartier
3
Tibault Reveyrand
2
M. Oualli
3
D. Lancereau
3
M.A. Di Forte Poisson
3
S. Piotrowicz
3
E. Morvan
3
S.L. Delage
3
E. Chartier 3
Auteur
Tibault Reveyrand 2
Auteur IdHAL : reveyrand ORCID : https://orcid.org/0000-0001-7538-4473
M. Oualli 3
Auteur
D. Lancereau 3
Auteur
2
C2S2 (France)
- XLIM - XLIM (123 Avenue Albert THOMAS 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- UNILIM - Université de Limoges : UMR6172 (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6172 (France)
Abstract : We report a comparative study on AlInN/GaN HEMTs on SiC substrates having four different processes and epitaxies. The outstanding performances of such devices will be explained thanks to intensive characterizations: pulsed-IV, [S]-parameters and load-pull at several frequencies from S to Ku bands. The measured transistors with 250nm gate lengths from different wafers delivered in cw: 10.8 W/mm with 60 % associated PAE at 3,5 GHz, 6.6 W/mm with 39% associated PAE at 10,24 GHz, and 4.2 W/mm with 43 % associated PAE at 18 GHz.
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00643348
Contributeur : Véronique Maury <>
Soumis le : lundi 21 novembre 2011 - 16:33:39
Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2019 - 16:26:04
Contributeur : Véronique Maury <>
Soumis le : lundi 21 novembre 2011 - 16:33:39
Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2019 - 16:26:04
Identifiants
- HAL Id : hal-00643348, version 1
Citation
Olivier Jardel, Guillaume Callet, J. Dufraisse, N. Sarazin, E. Chartier, et al.. Performances of AlInN/GaN HEMTs for Power Applications at Microwave Frequencies. European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMW 2010, Sep 2010, PARIS, France. pp.49-52. ⟨hal-00643348⟩
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