Current-driven Self-oscillations in Two-terminals Resistive Switches Induced by the Metal-insulator Transition in VO2 Thin Films - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Current-driven Self-oscillations in Two-terminals Resistive Switches Induced by the Metal-insulator Transition in VO2 Thin Films

Aurelian Crunteanu
MINACOM
Jonathan Leroy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 919507
MINACOM
Jean-Christophe Orlianges
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Corinne Champeaux
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Alain Catherinot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915830
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
MINACOM

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https://unilim.hal.science/hal-00684121

Soumis le : vendredi 30 mars 2012-15:51:01

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00684121 , version 1 (30-03-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00684121 , version 1

Citer

Aurelian Crunteanu, Jonathan Leroy, Jean-Christophe Orlianges, Corinne Champeaux, Alain Catherinot, et al.. Current-driven Self-oscillations in Two-terminals Resistive Switches Induced by the Metal-insulator Transition in VO2 Thin Films. ICMAT-2011, Symposium A: Nanostructured Oxides, Interfaces, Heterostructures and Devices, SUNTEC, Jun 2011, Singapour, Singapore. pp.Présentation orale. ⟨hal-00684121⟩

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