Analyse comparative des classes en commutation (F, F-1, E) pour l'amplification de puissance en technologie GaN

Résumé : Cette étude est effectuée en bande L à 1.5GHz (pour les applications spatiales) avec un modèle de transistor GaN 10W de la fonderie Eudyna. L'amplificateur optimisé en classe F présente un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 72% associé à une puissance de 40.3dBm à 2dB de compression de gain. Pour celui optimisé en classe F-1, on obtient 74.5% de PAE et une puissance de 42.6dBm à 5dB de compression. Lors de l'analyse en classe E, on obtient 75% de PAE et une puissance de 41.1dBm à 3dB de compression de gain. La classe E apparaît alors comme la classe la mieux adaptée pour un compromis optimal en rendement et en puissance.