Analyse comparative des classes en commutation (F, F-1, E) pour l'amplification de puissance en technologie GaN

Alaaeddine Ramadan (1) , D. Sardin , Tibault Reveyrand (1) , Jean-Michel Nebus (1) , Philippe Bouysse (1) , L. Lapierre , J.F. Villemazet , S. Forestier

1 C2S2

Cette étude est effectuée en bande L à 1.5GHz (pour les applications spatiales) avec un modèle de transistor GaN 10W de la fonderie Eudyna. L'amplificateur optimisé en classe F présente un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 72% associé à une puissance de 40.3dBm à 2dB de compression de gain. Pour celui optimisé en classe F-1, on obtient 74.5% de PAE et une puissance de 42.6dBm à 5dB de compression. Lors de l'analyse en classe E, on obtient 75% de PAE et une puissance de 41.1dBm à 3dB de compression de gain. La classe E apparaît alors comme la classe la mieux adaptée pour un compromis optimal en rendement et en puissance.

Alaaeddine Ramadan, D. Sardin, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Analyse comparative des classes en commutation (F, F-1, E) pour l'amplification de puissance en technologie GaN. Journées Nationales Micro-ondes (JNM) (2009), May 2009, Grenoble, France. pp. 1C3-1C3. ⟨hal-00758692⟩