A Comparison of 2-D Simulations and Measurements of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

A Comparison of 2-D Simulations and Measurements of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection

Khaled Abdelhadi
  • Fonction : Auteur
C2S2
Ahmad Al Hajjar
  • Fonction : Auteur
C2S2
Jean-Christophe Nallatamby
XLIM
Jean-Claude Jacquet
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thalès III-V lab
Sylvain Delage
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thalès III-V lab
Michel Prigent
C2S2
Didier Floriot
  • Fonction : Auteur
UMS

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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Soumis le : jeudi 5 décembre 2013-18:36:52

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57

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Dates et versions

hal-00914665 , version 1 (05-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00914665 , version 1

Citer

Khaled Abdelhadi, Ahmad Al Hajjar, Jean-Christophe Nallatamby, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Delage, et al.. A Comparison of 2-D Simulations and Measurements of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection. International Conference on Noise and Fluctuations, Jun 2013, Montpellier, France. ⟨hal-00914665⟩

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