A Comparison of 2-D Simulations and Measurements of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

A Comparison of 2-D Simulations and Measurements of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection

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Khaled Abdelhadi
  • Fonction : Auteur
Ahmad Al Hajjar
  • Fonction : Auteur
Jean-Christophe Nallatamby
Michel Prigent
Didier Floriot
  • Fonction : Auteur
UMS
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00914665 , version 1 (05-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00914665 , version 1

Citer

Khaled Abdelhadi, Ahmad Al Hajjar, Jean-Christophe Nallatamby, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Delage, et al.. A Comparison of 2-D Simulations and Measurements of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection. International Conference on Noise and Fluctuations, Jun 2013, Montpellier, France. ⟨hal-00914665⟩

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