Characterization of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection up to 10 MHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

Characterization of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection up to 10 MHz

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Ahmad Al Hajjar
  • Fonction : Auteur
Khaled Abdelhadi
  • Fonction : Auteur
Jean-Christophe Nallatamby
Michel Prigent
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00914668 , version 1 (05-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00914668 , version 1

Citer

Ahmad Al Hajjar, Khaled Abdelhadi, Jean-Christophe Nallatamby, Michel Prigent. Characterization of Low Frequency Noise on InGaP/GaAs HBT Transistors at Low and High Level Injection up to 10 MHz. IEEE- Mediterranean Microwave Symposium, Sep 2013, Saida, Lebanon. ⟨hal-00914668⟩

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