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Direction d'ouvrage, Proceedings, Dossier
Comparative study of 2,7 versus 3,6 disubstituted carbazole as hole transporting materials in solid state DSSC
M. Degbia
1
Bruno Schmaltz
1
François Tran Van
1
Hussein Melhem
2
Johann Bouclé
2
A. Tomkeviciene
3
J.V. Grazulevicius
3
M. Degbia 1
Auteur
Bruno Schmaltz 1
Auteur IdHAL : bruno-schmaltz ORCID : https://orcid.org/0000-0001-8298-9489
François Tran Van 1
Auteur
Hussein Melhem 2
Auteur
Johann Bouclé 2
Auteur IdHAL : johann-boucle ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/I-3131-2016 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7851-1842
A. Tomkeviciene 3
Auteur
J.V. Grazulevicius 3
Auteur
1
PCM2E - Physico-chimie des Matériaux et des Electrolytes pour l'Energie (Bâtiment J
UFR Sciences et Techniques
Parc de Grandmont
37200 TOURS - France)
- Université de Tours (60 rue du Plat d'Étain, 37020 Tours cedex 1 - France)
2
XLIM-MINACOM - MINACOM (France)
- XLIM - XLIM (123 Avenue Albert THOMAS 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- UNILIM - Université de Limoges : UMR7252 (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR7252 (France)
3
Kaunas University of Technology (Department of Organic Technology Radvilenu pl. 19, LT-50254 Kaunas - Lituanie)
- Kaunas University of Technology (France)
Type de document :
Direction d'ouvrage, Proceedings, Dossier
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00916145
Contributeur : Johann Bouclé Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : lundi 9 décembre 2013 - 18:55:01
Dernière modification le : mercredi 20 octobre 2021 - 01:31:18
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Dernière modification le : mercredi 20 octobre 2021 - 01:31:18
Identifiants
- HAL Id : hal-00916145, version 1
- DOI : 10.1109/ISCDG.2012.6360014
Collections
CNRS | UNILIM | XLIM | UNIV-TOURS
Citation
M. Degbia, Bruno Schmaltz, François Tran Van, Hussein Melhem, Johann Bouclé, et al.. Comparative study of 2,7 versus 3,6 disubstituted carbazole as hole transporting materials in solid state DSSC. IEEE International semiconductor conference, Dresden, France. pp.211-214, 2012, IEEE International semiconductor conference ⟨10.1109/ISCDG.2012.6360014⟩. ⟨hal-00916145⟩
Métriques
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