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Communication dans un congrès
Impact des effets de piège sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur nitrure de gallium
Raymond Quéré
1
Tibault Reveyrand
1
Philippe Bouysse
1
Poornakarthik Nakkala
1
Audrey Martin
1
Olivier Jardel
2
Jean-Michel Nebus
1
Eric Bergeault
3
Michel Campovecchio
1
Raymond Quéré 1
Auteur IdHAL : raymond-quere
Tibault Reveyrand 1
Auteur IdHAL : reveyrand ORCID : https://orcid.org/0000-0001-7538-4473
Philippe Bouysse 1
Auteur IdHAL : philippe-bouysse
Poornakarthik Nakkala 1
Auteur
Audrey Martin 1
Auteur IdHAL : audrey-martin
Olivier Jardel 2
Auteur
Jean-Michel Nebus 1
Auteur IdHAL : jean-michel-nebus
Eric Bergeault 3
Auteur
Michel Campovecchio 1
Auteur IdHAL : michel-campovecchio
1
XLIM-C2S2 - C2S2 (France)
- XLIM - XLIM (123 Avenue Albert THOMAS 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- UNILIM - Université de Limoges (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR 7252 (France)
2
III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab (Route de Nozay, 91461 Marcoussis - France)
- THALES [France] (France)
- ALCATEL (France)
3
ENST - Ecole Nationale Supérieure des Télécommunications (46 rue Barrault 75634 Paris Cedex 13 - France)
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00918062
Contributeur : Tibault Reveyrand Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : jeudi 12 décembre 2013 - 19:10:25
Dernière modification le : lundi 4 avril 2022 - 16:22:02
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Identifiants
- HAL Id : hal-00918062, version 1
Citation
Raymond Quéré, Tibault Reveyrand, Philippe Bouysse, Poornakarthik Nakkala, Audrey Martin, et al.. Impact des effets de piège sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur nitrure de gallium. Journees Nationales Micro-ondes, May 2013, France. pp.1-4. ⟨hal-00918062⟩
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