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Communication dans un congrès
Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S
Jérémy Dufraisse
1
Guillaume Callet
1
Stéphane Piotrowicz
2
Eric Chartier
2
Olivier Jardel
2
Jean-Claude Jacquet
2
Nicolas Sarazin
2
Erwan Morvan
2
Raphaël Aubry
2
M.A. Di Forte Poisson
2
Sylvain Delage
2
Philippe Bouysse
3
Raymond Quéré
3
Jérémy Dufraisse 1
Auteur
Guillaume Callet 1
Auteur
Stéphane Piotrowicz 2
Auteur
Eric Chartier 2
Auteur
Raphaël Aubry 2
Auteur
M.A. Di Forte Poisson 2
Auteur
Sylvain Delage 2
Auteur
Philippe Bouysse 3
Auteur IdHAL : philippe-bouysse
Raymond Quéré 3
Auteur IdHAL : raymond-quere
1
C2S2 (France)
- III-V Lab - Alcatel-Thales III-V Lab (Domaine de Corbeville, 91404 Orsay - France)
- THALES (France)
2
III-V Lab - Alcatel-Thales III-V Lab (Domaine de Corbeville, 91404 Orsay - France)
- THALES (France)
3
C2S2 (France)
- XLIM - XLIM (123 Avenue Albert THOMAS 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- UNILIM - Université de Limoges : UMR6172 (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6172 (France)
Résumé : Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en InAlN/AlN/GaN sont étudiés pour analyser l'impact de paramètres technologiques de composants 2×100μm sur des mesures I-V statiques et des paramètres en petits signaux. Les variations de la distance grille-drain et de l'extension de la plaque de champ reliée à la source ont un impact sur la capacité Cds et la tenue en tension entre le drain et la source VBK. Des mesures I-V pulsées sur un composant 2×250 μm révèlent une diminution de 22 % du courant de drain à cause des effets des pièges. Des mesures en puissance sur un composant 8×250 μm mon-trent de très bonnes performances de la technologie HEMT InAlN/AlN/GaN en bande S avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 70 % à 3,5 GHz.
Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00918189
Contributeur : Philippe Bouysse <>
Soumis le : vendredi 13 décembre 2013 - 09:26:39
Dernière modification le : dimanche 1 décembre 2019 - 16:54:01
Contributeur : Philippe Bouysse <>
Soumis le : vendredi 13 décembre 2013 - 09:26:39
Dernière modification le : dimanche 1 décembre 2019 - 16:54:01
Identifiants
- HAL Id : hal-00918189, version 1
Citation
Jérémy Dufraisse, Guillaume Callet, Stéphane Piotrowicz, Eric Chartier, Olivier Jardel, et al.. Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S. 17ème Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1-4. ⟨hal-00918189⟩
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