Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S

Jérémy Dufraisse (1) , Guillaume Callet (1) , Stéphane Piotrowicz (2) , Eric Chartier (2) , Olivier Jardel (2) , Jean-Claude Jacquet (2) , Nicolas Sarazin (2) , Erwan Morvan (2) , Raphaël Aubry (2) , M.A. Di Forte Poisson (2) , Sylvain Delage (2) , Philippe Bouysse (3) , Raymond Quéré (3)

1 C2S2
2 III-V Lab - Alcatel-Thales III-V Lab
3 C2S2

Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en InAlN/AlN/GaN sont étudiés pour analyser l'impact de paramètres technologiques de composants 2×100μm sur des mesures I-V statiques et des paramètres en petits signaux. Les variations de la distance grille-drain et de l'extension de la plaque de champ reliée à la source ont un impact sur la capacité Cds et la tenue en tension entre le drain et la source VBK. Des mesures I-V pulsées sur un composant 2×250 μm révèlent une diminution de 22 % du courant de drain à cause des effets des pièges. Des mesures en puissance sur un composant 8×250 μm mon-trent de très bonnes performances de la technologie HEMT InAlN/AlN/GaN en bande S avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 70 % à 3,5 GHz.

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Electronique

Jérémy Dufraisse, Guillaume Callet, Stéphane Piotrowicz, Eric Chartier, Olivier Jardel, et al.. Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S. 17ème Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1-4. ⟨hal-00918189⟩