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Communication dans un congrès

Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S

Résumé : Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en InAlN/AlN/GaN sont étudiés pour analyser l'impact de paramètres technologiques de composants 2×100μm sur des mesures I-V statiques et des paramètres en petits signaux. Les variations de la distance grille-drain et de l'extension de la plaque de champ reliée à la source ont un impact sur la capacité Cds et la tenue en tension entre le drain et la source VBK. Des mesures I-V pulsées sur un composant 2×250 μm révèlent une diminution de 22 % du courant de drain à cause des effets des pièges. Des mesures en puissance sur un composant 8×250 μm mon-trent de très bonnes performances de la technologie HEMT InAlN/AlN/GaN en bande S avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 70 % à 3,5 GHz.
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00918189
Contributeur : Philippe Bouysse <>
Soumis le : vendredi 13 décembre 2013 - 09:26:39
Dernière modification le : dimanche 1 décembre 2019 - 16:54:01

Identifiants

  • HAL Id : hal-00918189, version 1

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Citation

Jérémy Dufraisse, Guillaume Callet, Stéphane Piotrowicz, Eric Chartier, Olivier Jardel, et al.. Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S. 17ème Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1-4. ⟨hal-00918189⟩

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