Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S

Résumé : Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en InAlN/AlN/GaN sont étudiés pour analyser l'impact de paramètres technologiques de composants 2×100μm sur des mesures I-V statiques et des paramètres en petits signaux. Les variations de la distance grille-drain et de l'extension de la plaque de champ reliée à la source ont un impact sur la capacité Cds et la tenue en tension entre le drain et la source VBK. Des mesures I-V pulsées sur un composant 2×250 μm révèlent une diminution de 22 % du courant de drain à cause des effets des pièges. Des mesures en puissance sur un composant 8×250 μm mon-trent de très bonnes performances de la technologie HEMT InAlN/AlN/GaN en bande S avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 70 % à 3,5 GHz.