Amplification de puissance en technologie GaN en classe B exacte avec la technique de suivi d'enveloppe appliquée sur la grille
Résumé
Ce travail concerne l'amélioration de la linéarité d'un amplificateur10W en bande S en technologie GaN, polarisé en classe B exacte (IDSQ=0mA) en utilisant la technique de suivi d'enveloppe sur la grille. Un traitement simple de l'enveloppe du signal RF d'entrée est appliqué pour obtenir une tension de polarisation qui est remontée au-dessus du point de pincement lorsque la puissance instantanée du signal d'entrée RF est faible. Cette technique permet une amélioration de la linéarité de l'amplificateur de puissance avec un très faible impact sur le rendement en puissance ajoutée. Dans cet article, un gain de près de 6 dB de l'ACPR pour un signal 16-QAM 2MSymb / s à 2,5 GHz a été expérimentalement obtenu. Enfin, un prototype de circuit de gestion de la polarisation dynamique de grille à base d'amplificateurs opérationnels rapides a été développé et est présenté.