Analysis of low frequency memory influence on solid state HPA intermodulation characteristics

Nicolas Le Gallou; Jean-Michel Nebus; Edouard Ngoya; Hervé Burêt

doi:10.1109/MWSYM.2001.967056

Communication dans un congrès

Analysis of low frequency memory influence on solid state HPA intermodulation characteristics

Nicolas Le Gallou ¹ Jean-Michel Nebus ¹ Edouard Ngoya ¹ Hervé Burêt

1 IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Abstract : A theoretical analysis using two-tone simulations and practical measurements of low frequency memory impact on third order intermodulation (IM3) on HBT as well as HFET power amplifiers is carried out. A particular emphasis is placed on the thermal origin for the HBT case and electrical origin for the HFET case of these low frequency nonlinear phenomena.

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00924928
Contributeur : Edouard Ngoya Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mardi 7 janvier 2014 - 12:09:37
Dernière modification le : mercredi 20 octobre 2021 - 01:31:04

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