Réalisation d'amplificateurs de puissance en bande K en technologie de composants HEMTs AlInN/GaN

Olivier Jardel (1) , D. Lancereau (1) , S. Leger (1) , J.C. Jacquet (1) , Sylvain Laurent (2) , R. Aubry (1) , E. Chartier (1) , M. Oualli (1) , C. Dua (1) , S. Piotrowicz (1) , M.A. Di Forte Poisson (1) , Sylvain L. Delage (1)

1 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
2 XLIM-C2S2 - C2S2

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Olivier Jardel, D. Lancereau, S. Leger, J.C. Jacquet, Sylvain Laurent, et al.. Réalisation d'amplificateurs de puissance en bande K en technologie de composants HEMTs AlInN/GaN. 18èmes Journées Nationales Microondes, 2013, France. pp.2. ⟨hal-00933953⟩