Réalisation d'amplificateurs de puissance en bande K en technologie de composants HEMTs AlInN/GaN

Olivier Jardel; D. Lancereau; S. Leger; J.C. Jacquet; Sylvain Laurent; R. Aubry; E. Chartier; M. Oualli; C. Dua; S. Piotrowicz; M.A. Di Forte Poisson; Sylvain L. Delage

Communication dans un congrès

Réalisation d'amplificateurs de puissance en bande K en technologie de composants HEMTs AlInN/GaN

Olivier Jardel ¹ D. Lancereau ¹ S. Leger ¹ J.C. Jacquet ¹ Sylvain Laurent ² R. Aubry ¹ E. Chartier ¹ M. Oualli ¹ C. Dua ¹ S. Piotrowicz ¹ M.A. Di Forte Poisson ¹ Sylvain L. Delage ¹

1 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab

2 XLIM-C2S2 - C2S2

XLIM - XLIM

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00933953
Contributeur : Sylvain Laurent Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mardi 21 janvier 2014 - 13:26:42
Dernière modification le : lundi 4 avril 2022 - 16:22:02

Réalisation d'amplificateurs de puissance en bande K en technologie de composants HEMTs AlInN/GaN

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

40

Réalisation d'amplificateurs de puissance en bande K en technologie de composants HEMTs AlInN/GaN

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

40