Article Dans Une Revue
World Journal of Engineering
Année : 2011
Pamela Bathias : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://unilim.hal.science/hal-00942418
Soumis le : mercredi 5 février 2014-17:20:41
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00942418 , version 1
Citer
Z. Bouchkour, Pascal Tristant, Christelle Dublanche-Tixier, Cédric Jaoul, Xavier Landreau, et al.. Influence of the V/II ratio on the growth of groupe III nitride quantum dots deposited on silicon substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition. World Journal of Engineering, 2011, Proceedings of the 19th Annual International Conference on Composites or Nano-Engeneering (ICCE-19), (Issue supplement), pp.143. ⟨hal-00942418⟩
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