3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates

Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00944202
Contributeur : Pamela Bathias <>
Soumis le : lundi 10 février 2014 - 12:19:00
Dernière modification le : jeudi 4 juillet 2019 - 16:38:03

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944202, version 1

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A. Henry, X. Li, H. Jacobson, S. Andersson, Alexandre Boulle, et al.. 3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Sep 2012, Saint Petersburg, Russia. ⟨hal-00944202⟩

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