3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates

A. Henry X. Li H. Jacobson S. Andersson Alexandre Boulle 1 D. Chaussende E. Janzen
1 SPCTS-AXE3 - Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux
SPCTS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00944202
Contributeur : Pamela Bathias <>
Soumis le : lundi 10 février 2014 - 12:19:00
Dernière modification le : mercredi 29 janvier 2020 - 09:16:14

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944202, version 1

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SPCTS | CNRS | SPCTS-AXE3 | UNILIM | IPAM | INC-CNRS | IRCER | IRCER-AXE3

Citation

A. Henry, X. Li, H. Jacobson, S. Andersson, Alexandre Boulle, et al.. 3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Sep 2012, Saint Petersburg, Russia. ⟨hal-00944202⟩

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