3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates

A. Henry
  • Fonction : Auteur
Xiaojian Li
  • Fonction : Auteur
H. Jacobson
  • Fonction : Auteur
S. Andersson
  • Fonction : Auteur
Alexandre Boulle
Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux
CV
D. Chaussende
CV
E. Janzen
  • Fonction : Auteur

Domaines

Matériaux

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https://unilim.hal.science/hal-00944202

Soumis le : lundi 10 février 2014-12:19:00

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00944202 , version 1 (10-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944202 , version 1

Citer

A. Henry, Xiaojian Li, H. Jacobson, S. Andersson, Alexandre Boulle, et al.. 3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Sep 2012, Saint Petersburg, Russia. ⟨hal-00944202⟩

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