Influence of the V/III ratio on the growth of group III nitride quantum dots deposited on silicon substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition

Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
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Contributeur : Pamela Bathias <>
Soumis le : mardi 11 février 2014 - 10:23:56
Dernière modification le : mercredi 14 février 2018 - 16:29:43

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944752, version 1

Citation

Z. Bouchkour, Pascal Tristant, Christelle Dublanche-Tixier, Cédric Jaoul, Xavier Landreau, et al.. Influence of the V/III ratio on the growth of group III nitride quantum dots deposited on silicon substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition. 19th Annual International Conference on Composites or Nano-Engeneering (ICCE-19), Jul 2011, Shanghaï, China. pp.143. ⟨hal-00944752⟩

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