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Communication dans un congrès

Influence of the V/III ratio on the growth of group III nitride quantum dots deposited on silicon substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition

Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00944752
Contributeur : Pamela Bathias <>
Soumis le : mardi 11 février 2014 - 10:23:56
Dernière modification le : mardi 12 mai 2020 - 20:02:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944752, version 1

Citation

Z. Bouchkour, Pascal Tristant, Christelle Dublanche-Tixier, Cédric Jaoul, Xavier Landreau, et al.. Influence of the V/III ratio on the growth of group III nitride quantum dots deposited on silicon substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition. 19th Annual International Conference on Composites or Nano-Engeneering (ICCE-19), Jul 2011, Shanghaï, China. pp.143. ⟨hal-00944752⟩

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