Defect recovery induced by swift heavy ions in SiC : an integrated experimental and computational approach - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

Defect recovery induced by swift heavy ions in SiC : an integrated experimental and computational approach

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A. Debelle
M. Backman
  • Fonction : Auteur
S. Mylonas
  • Fonction : Auteur
L. Thome
  • Fonction : Auteur
W.J. Weber
  • Fonction : Auteur
K. Nordlund
  • Fonction : Auteur
M. Toulemonde
F. Garrido
  • Fonction : Auteur

Domaines

Chimie Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00952305 , version 1 (26-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00952305 , version 1

Citer

A. Debelle, M. Backman, S. Mylonas, L. Thome, W.J. Weber, et al.. Defect recovery induced by swift heavy ions in SiC : an integrated experimental and computational approach. 2012 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov 2012, Boston, United States. ⟨hal-00952305⟩
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