Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5

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Aurelian Crunteanu
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Amine Mennai
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Cyril Guines
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Damien Passerieux
Pierre Blondy
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Résumé

Nous présentons la fabrication et la caractérisation de nouveaux commutateurs RF/ micro-ondes basés sur l'intégration d'un matériau à changement de phase (MCP), à savoir le Ge2Sb2Te5 (GST). Le dispositif de type ohmique présente un changement réversible de résistivité (plusieurs ordres de grandeur) quand le matériau passe d'un état amorphe à un état cristallin sous l'effet d'un sti-mulus thermique ou électrique. Nous avons étudié les pro-priétés RF ainsi que la tenue en puissance de commuta-teurs planaires intégrant des motifs de GST de 10 µm de longueur.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00956928 , version 1 (07-03-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00956928 , version 1

Citer

Aurelian Crunteanu, Amine Mennai, Cyril Guines, Damien Passerieux, Pierre Blondy. Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5. Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux (13èmes JCMM) 2014, Mar 2014, Nantes, France. ⟨hal-00956928⟩

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