Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5

Aurelian Crunteanu; Amine Mennai; Cyril Guines; Damien Passerieux; Pierre Blondy

Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5

Aurelian Crunteanu ^{1, *} Amine Mennai ¹ Cyril Guines ¹ Damien Passerieux ¹ Pierre Blondy ¹

* Auteur correspondant

XLIM - XLIM

Résumé : Nous présentons la fabrication et la caractérisation de nouveaux commutateurs RF/ micro-ondes basés sur l'intégration d'un matériau à changement de phase (MCP), à savoir le Ge2Sb2Te5 (GST). Le dispositif de type ohmique présente un changement réversible de résistivité (plusieurs ordres de grandeur) quand le matériau passe d'un état amorphe à un état cristallin sous l'effet d'un sti-mulus thermique ou électrique. Nous avons étudié les pro-priétés RF ainsi que la tenue en puissance de commuta-teurs planaires intégrant des motifs de GST de 10 µm de longueur.

Mots-clés : commutateurs micro-ondes matériaux à changement de phase Ge2Sb2Te5

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00956928
Contributeur : Aurelian Crunteanu <>
Soumis le : vendredi 7 mars 2014 - 16:07:59
Dernière modification le : mardi 12 novembre 2019 - 14:06:03

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