Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5
Résumé
Nous présentons la fabrication et la caractérisation de nouveaux commutateurs RF/ micro-ondes basés sur l'intégration d'un matériau à changement de phase (MCP), à savoir le Ge2Sb2Te5 (GST). Le dispositif de type ohmique présente un changement réversible de résistivité (plusieurs ordres de grandeur) quand le matériau passe d'un état amorphe à un état cristallin sous l'effet d'un sti-mulus thermique ou électrique. Nous avons étudié les pro-priétés RF ainsi que la tenue en puissance de commuta-teurs planaires intégrant des motifs de GST de 10 µm de longueur.