Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition

Gustavo Sanchez 1 Pascal Tristant 2 Christelle Dublanche-Tixier 3 Florent Tetard 4 A. Bologna 5
1 Departamento de Ingeniera de Materiales
UDELAR - UDELAR, Facultad de Ingenieria [Montevideo]
2 Axe 2 : procédés de traitements de surface
SPCTS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
4 FINANO
LSPM - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux
5 Departamento de Ingenieria de Materiales
UDELAR - UDELAR, Facultad de Ingenieria [Montevideo]
Type de document :
Article dans une revue
Domaine :
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00985449
Contributeur : Christelle Dublanche Tixier <>
Soumis le : mardi 29 avril 2014 - 16:55:32
Dernière modification le : mercredi 10 avril 2019 - 23:02:35

Identifiants

Citation

Gustavo Sanchez, Pascal Tristant, Christelle Dublanche-Tixier, Florent Tetard, A. Bologna. Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition. Surface and Coatings Technology, Elsevier, 2013, pp.SCT-18981. ⟨10.1016/j.surfcoat.2013.10.⟩. ⟨hal-00985449⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

191