Thermal and Trapping Effects Characterization of Power AlGaN/GaN PHEMTs

Type de document :
Communication dans un congrès
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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01067009
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : lundi 22 septembre 2014 - 17:39:39
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

Identifiants

  • HAL Id : hal-01067009, version 1

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Citation

Raymond Quéré, Jean-Pierre Teyssier, Sandra Demeyer, Michel Campovecchio. Thermal and Trapping Effects Characterization of Power AlGaN/GaN PHEMTs. 34th European Microwave Conference - Workshop on "Wide Band Gap Research for Microwave Applications", Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. ⟨hal-01067009⟩

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