Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Michel Campovecchio; Portilla Joaquin; Raymond Quéré; Juan Obregon

Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Michel Campovecchio ^{1, *} Portilla Joaquin ¹ Raymond Quéré ¹ Juan Obregon ¹

* Auteur correspondant

1 IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01067025
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : lundi 22 septembre 2014 - 18:02:38
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

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