Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Type de document :
Communication dans un congrès
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Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : lundi 22 septembre 2014 - 18:02:38
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

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  • HAL Id : hal-01067025, version 1

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Michel Campovecchio, Portilla Joaquin, Raymond Quéré, Juan Obregon. Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia. URSI 92 - VII Symposium Nacional de la Union Cientifica Internacional de Radio, Sep 1992, Malaga, España. pp. 219-222. ⟨hal-01067025⟩

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