Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Michel Campovecchio; Portilla Joaquin; Raymond Quéré; Juan Obregon

Communication dans un congrès

Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Michel Campovecchio ^{1, *} Portilla Joaquin ¹ Raymond Quéré ¹ Juan Obregon ¹

* Auteur correspondant

1 IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01067025
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : lundi 22 septembre 2014 - 18:02:38
Dernière modification le : dimanche 1 décembre 2019 - 16:54:01

Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

119

Modelo mejorado de FET para applicaciones de alta potencia

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

119