Mechanism of Power Density Degradation due to Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs

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Communication dans un congrès
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Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : mardi 30 septembre 2014 - 12:36:13
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

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Sandra Demeyer, Christophe Charbonniaud, Raymond Quéré, Michel Campovecchio, R. Lossy, et al.. Mechanism of Power Density Degradation due to Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs. IEEE MTT-S, International Symposium on Microwave Theory and Techniques, Jun 2003, Philadelphia, PA, United States. pp. 455-458, ⟨10.1109/MWSYM.2003.1210974⟩. ⟨hal-01070003⟩

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