Mechanism of Power Density Degradation due to Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01070003 , version 1 (30-09-2014)

Identifiants

Citer

Sandra Demeyer, Christophe Charbonniaud, Raymond Quéré, Michel Campovecchio, R. Lossy, et al.. Mechanism of Power Density Degradation due to Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs. IEEE MTT-S, International Symposium on Microwave Theory and Techniques, Jun 2003, Philadelphia, PA, United States. pp. 455-458, ⟨10.1109/MWSYM.2003.1210974⟩. ⟨hal-01070003⟩

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