Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology

Sandra Demeyer; Audrey Philippon; Michel Campovecchio; Christophe Charbonniaud; Stéphane Piotrowicz; Didier Floriot; Raymond Quéré

doi:10.1109/EUMC.2005.1610261

Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology

Sandra Demeyer ¹ Audrey Philippon ¹ Michel Campovecchio ^{1, *} Christophe Charbonniaud ¹ Stéphane Piotrowicz ² Didier Floriot ³ Raymond Quéré ¹

* Auteur correspondant

1 IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

2 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab

3 UMS

UMS

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01070012
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : mardi 30 septembre 2014 - 13:01:20
Dernière modification le : dimanche 1 décembre 2019 - 16:54:01

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