Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology

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Communication dans un congrès
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Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : mardi 30 septembre 2014 - 13:01:20
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

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Sandra Demeyer, Audrey Philippon, Michel Campovecchio, Christophe Charbonniaud, Stéphane Piotrowicz, et al.. Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology. 35th European Microwave Conference, Oct 2005, Paris, France. pp. 1603-1606, ⟨10.1109/EUMC.2005.1610261⟩. ⟨hal-01070012⟩

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