Détection et caractérisation de pièges dans les transistors HEMTs GaN via l’étude de la dispersion en fréquence de la conductance de sortie

Type de document :
Communication dans un congrès
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Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : vendredi 19 juin 2015 - 17:32:31
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:26:32

Identifiants

  • HAL Id : hal-01165690, version 1

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Citation

Clément Potier, Audrey Martin, Michel Campovecchio, Olivier Jardel, Stéphane Piotrowicz, et al.. Détection et caractérisation de pièges dans les transistors HEMTs GaN via l’étude de la dispersion en fréquence de la conductance de sortie . Journées Nationales Microondes JNM, Jun 2015, BORDEAUX, France. pp.424-427. ⟨hal-01165690⟩

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