Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01245391
Contributeur : Sylvain Vedraine <>
Soumis le : jeudi 17 décembre 2015 - 10:26:38
Dernière modification le : lundi 25 février 2019 - 16:34:20

Identifiants

  • HAL Id : hal-01245391, version 1

Collections

Citation

Sébastien Martinie, Sylvain Vedraine, Daniela Munteanu, Gilles Le Carval, Vincent Barral, et al.. Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances. 38th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC’2008), Sep 2008, Edinburg, United Kingdom. ⟨hal-01245391⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

189