Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Sébastien Martinie; Sylvain Vedraine; Daniela Munteanu; Gilles Le Carval; Vincent Barral; Jean-Luc Autran

Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Sébastien Martinie ^{1, 2} Sylvain Vedraine ¹ Daniela Munteanu ¹ Gilles Le Carval ² Vincent Barral ^{1, 2} Jean-Luc Autran ¹

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

2 CEA-LETI - Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information

Type de document :

Communication dans un congrès

38th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC’2008), Sep 2008, Edinburg, United Kingdom. 2008, Proceedings of the 38th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC’2008)

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01245391
Contributeur : Sylvain Vedraine <>
Soumis le : jeudi 17 décembre 2015 - 10:26:38
Dernière modification le : lundi 24 septembre 2018 - 10:56:05

Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

173

Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

173