Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Sébastien Martinie; Sylvain Vedraine; Daniela Munteanu; Gilles Le Carval; Vincent Barral; Jean-Luc Autran

Communication dans un congrès

Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Sébastien Martinie ^{1, 2} Sylvain Vedraine ¹ Daniela Munteanu ¹ Gilles Le Carval ² Vincent Barral ^{1, 2} Jean-Luc Autran ¹

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01245391
Contributeur : Sylvain Vedraine Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : jeudi 17 décembre 2015 - 10:26:38
Dernière modification le : mardi 19 octobre 2021 - 23:00:01

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