Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Type de document :
Direction d'ouvrage, Proceedings, Dossier
Sep 2008, Edinburg, United Kingdom. 2008, Proceedings of the 38th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC’2008)
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Contributeur : Sylvain Vedraine <>
Soumis le : jeudi 17 décembre 2015 - 10:26:38
Dernière modification le : jeudi 18 janvier 2018 - 02:18:37

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  • HAL Id : hal-01245391, version 1

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Sébastien Martinie, Sylvain Vedraine, Daniela Munteanu, Gilles Le Carval, V. Barral, et al.. Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances. Sep 2008, Edinburg, United Kingdom. 2008, Proceedings of the 38th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC’2008). 〈hal-01245391〉

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