Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2015

Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur.

(1) , (2) , (1) , (2) , (3) , (2)
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Olivier Jardel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949138
Raymond Quéré
Stéphane Piotrowicz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949139
Philippe Bouysse
Audrey Martin

Résumé

Une cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur, comprend en entrée, un commutateur de courant Ti recevant le signal d'entrée de commande VIN de la cellule sur une entrée d'activation gi, et en sortie, un transistor de puissance T2 pour commuter une haute tension VDD appliquée sur son drain d2, sur sa source s2 reliée au port de sortie Out de la cellule. La commande de la grille g2 du transistor de puissance T2 dont la source s2 est flottante, en fonction du signal d'entrée VIN, est assurée par un circuit d'auto-polarisation P connecté entre sa grille g2 et sa source s2. Le commutateur de courant est connecté entre le circuit d'auto-polarisation P et une référence de tension nulle ou négative. Le circuit d'auto-polarisation comprend un transistor T3 dont la source s3, respectivement le drain d3, est connecté à la grille, respectivement à la source s3 du transistor de puissance. La grille g3 de ce transistor T3 est elle-même polarisée par une résistance d'auto-polarisation R3 connectée entre sa grille g3 et sa source s3, et en série entre le commutateur de courant T1 et la source s3. Les transistors sont avantageusement des transistors de type HEMT, en technologie AsGa ou GaN.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01284083 , version 1 (07-03-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01284083 , version 1

Citer

Olivier Jardel, Raymond Quéré, Stéphane Piotrowicz, Philippe Bouysse, Sylvain L. Delage, et al.. Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur.. France, N° de brevet: FR3020222. 2015. ⟨hal-01284083⟩

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