Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur.

Abstract : Une cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur, comprend en entrée, un commutateur de courant Ti recevant le signal d'entrée de commande VIN de la cellule sur une entrée d'activation gi, et en sortie, un transistor de puissance T2 pour commuter une haute tension VDD appliquée sur son drain d2, sur sa source s2 reliée au port de sortie Out de la cellule. La commande de la grille g2 du transistor de puissance T2 dont la source s2 est flottante, en fonction du signal d'entrée VIN, est assurée par un circuit d'auto-polarisation P connecté entre sa grille g2 et sa source s2. Le commutateur de courant est connecté entre le circuit d'auto-polarisation P et une référence de tension nulle ou négative. Le circuit d'auto-polarisation comprend un transistor T3 dont la source s3, respectivement le drain d3, est connecté à la grille, respectivement à la source s3 du transistor de puissance. La grille g3 de ce transistor T3 est elle-même polarisée par une résistance d'auto-polarisation R3 connectée entre sa grille g3 et sa source s3, et en série entre le commutateur de courant T1 et la source s3. Les transistors sont avantageusement des transistors de type HEMT, en technologie AsGa ou GaN.
Type de document :
Brevet
France, N° de brevet: FR3020222. 2015
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01284083
Contributeur : Audrey Martin <>
Soumis le : lundi 7 mars 2016 - 12:12:57
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:26:32

Identifiants

  • HAL Id : hal-01284083, version 1

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Citation

Olivier Jardel, Raymond Quéré, Stéphane Piotrowicz, Philippe Bouysse, Sylvain L. Delage, et al.. Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur.. France, N° de brevet: FR3020222. 2015. 〈hal-01284083〉

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