Evaluation des transistors HEMTs GaN pour la conception d’amplificateurs Doherty microondes - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Evaluation des transistors HEMTs GaN pour la conception d’amplificateurs Doherty microondes

Mohammed Ayad
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 978298
Lotfi Ayari
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 978322
Neveux Guillaume
  • Fonction : Auteur
C2S2
Denis Barataud
C2S2
Estelle Byk
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 978299
Marc Camiade
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Christophe Chang
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 978300

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Denis Barataud  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://unilim.hal.science/hal-01287187

Soumis le : samedi 12 mars 2016-01:20:21

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01287187 , version 1 (12-03-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01287187 , version 1

Citer

Mohammed Ayad, Lotfi Ayari, Neveux Guillaume, Denis Barataud, Estelle Byk, et al.. Evaluation des transistors HEMTs GaN pour la conception d’amplificateurs Doherty microondes. 19ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM), , Jun 2015, Bordeaux, France. ⟨hal-01287187⟩

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