Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

Lotfi Ayari; Mohammed Ayad; Neveux Guillaume; Denis Barataud; Estelle Byk; Marc Camiade

Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

Lotfi Ayari Mohammed Ayad Neveux Guillaume ¹ Denis Barataud ¹ Estelle Byk Marc Camiade

1 XLIM-C2S2 - C2S2

XLIM - XLIM

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287188
Contributeur : Denis Barataud <>
Soumis le : samedi 12 mars 2016 - 01:24:16
Dernière modification le : jeudi 16 janvier 2020 - 11:40:12

Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

244

Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

244