Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

Lotfi Ayari; Mohammed Ayad; Neveux Guillaume; Denis Barataud; Estelle Byk; Marc Camiade

Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

Lotfi Ayari Mohammed Ayad Neveux Guillaume ¹ Denis Barataud ¹ Estelle Byk Marc Camiade

1 XLIM-C2S2 - C2S2

XLIM - XLIM

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287188
Contributeur : Denis Barataud <>
Soumis le : samedi 12 mars 2016 - 01:24:16
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:26:32

Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.

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