Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Agostino Benvegnu 1 Enrico Zanoni Denis Barataud 1 Jean-Luc Roux 2 Jean-Luc Muraro 3 Raymond Quéré 1
1 XLIM-C2S2 - C2S2
XLIM - XLIM
2 CNES - Centre National d'Etudes Spatiales
3 TAS - Thales Alenia Space
Type de document :
Poster
Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés", Apr 2015, LIMOGES, France. 2015, Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés"
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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287548
Contributeur : Denis Barataud <>
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 18:19:18
Dernière modification le : lundi 2 avril 2018 - 18:30:01

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  • HAL Id : hal-01287548, version 1

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Citation

Agostino Benvegnu, Enrico Zanoni, Denis Barataud, Jean-Luc Roux, Jean-Luc Muraro, et al.. Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress . Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés", Apr 2015, LIMOGES, France. 2015, Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés". 〈hal-01287548〉

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