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Poster
Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress
Agostino Benvegnu
1
Enrico Zanoni
Denis Barataud
1
Jean-Luc Roux
2
Jean-Luc Muraro
3
Raymond Quéré
1
Agostino Benvegnu 1
Auteur Etablissement employeur : XLIM
Enrico Zanoni
Auteur
Denis Barataud 1
Auteur IdHAL : denis-barataud ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9479-4731
Jean-Luc Roux 2
Auteur
Jean-Luc Muraro 3
Auteur
Raymond Quéré 1
Auteur IdHAL : raymond-quere
1
XLIM-C2S2 - C2S2 (France)
- XLIM - XLIM (123 Avenue Albert THOMAS 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- UNILIM - Université de Limoges (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR 7252 (France)
2
CNES - Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (18 avenue Edouard Belin 31401 Toulouse - France)
3
TAS - Thales Alenia Space (TAS Toulouse, 26 Avenue J.F. Champollion, B.P. 1187, 31037 Toulouse Cedex 1 - France)
- THALES (France)
Type de document :
Poster
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287548
Contributeur : Denis Barataud Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 18:19:18
Dernière modification le : mercredi 22 décembre 2021 - 11:58:03
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Identifiants
- HAL Id : hal-01287548, version 1
Citation
Agostino Benvegnu, Enrico Zanoni, Denis Barataud, Jean-Luc Roux, Jean-Luc Muraro, et al.. Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress
. Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés", Apr 2015, LIMOGES, France. 2015, Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés". ⟨hal-01287548⟩
Métriques
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