Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of   degradation phenomena under RF stress

Agostino Benvegnu; Enrico Zanoni; Denis Barataud; Jean-Luc Roux; Jean-Luc Muraro; Raymond Quéré

Poster

Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Agostino Benvegnu ¹ Enrico Zanoni Denis Barataud ¹ Jean-Luc Roux ² Jean-Luc Muraro ³ Raymond Quéré ¹

1 XLIM-C2S2 - C2S2

XLIM - XLIM

2 CNES - Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]

3 TAS - Thales Alenia Space [Toulouse]

Type de document :

Poster

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287548
Contributeur : Denis Barataud Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 18:19:18
Dernière modification le : lundi 4 avril 2022 - 16:16:04

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