Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

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Contributeur : Denis Barataud <>
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 18:19:18
Dernière modification le : jeudi 25 juillet 2019 - 16:34:16

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  • HAL Id : hal-01287548, version 1

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Citation

Agostino Benvegnu, Enrico Zanoni, Denis Barataud, Jean-Luc Roux, Jean-Luc Muraro, et al.. Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress . Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés", Apr 2015, LIMOGES, France. 2015, Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés". ⟨hal-01287548⟩

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