Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2015

Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Agostino Benvegnu
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 965673
C2S2
Enrico Zanoni
  • Fonction : Auteur
Denis Barataud
C2S2
Jean-Luc Roux
  • Fonction : Auteur
Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]
Jean-Luc Muraro
  • Fonction : Auteur
Thales Alenia Space [Toulouse]
Raymond Quéré
C2S2

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Denis Barataud  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://unilim.hal.science/hal-01287548

Soumis le : dimanche 13 mars 2016-18:19:18

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01287548 , version 1 (13-03-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01287548 , version 1

Citer

Agostino Benvegnu, Enrico Zanoni, Denis Barataud, Jean-Luc Roux, Jean-Luc Muraro, et al.. Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress . Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés", Apr 2015, LIMOGES, France. 2015, Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés". ⟨hal-01287548⟩

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