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Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287548
Contributeur : Denis Barataud Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 18:19:18
Dernière modification le : mercredi 22 décembre 2021 - 11:58:03

Identifiants

  • HAL Id : hal-01287548, version 1

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Citation

Agostino Benvegnu, Enrico Zanoni, Denis Barataud, Jean-Luc Roux, Jean-Luc Muraro, et al.. Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress . Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés", Apr 2015, LIMOGES, France. 2015, Workshop "DEFIS-RF & Systèmes intégrés et sécurisés". ⟨hal-01287548⟩

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