Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of   degradation phenomena under RF stress

Agostino Benvegnu; Enrico Zanoni; Denis Barataud; Jean-Luc Roux; Jean-Luc Muraro; Raymond Quéré

Poster de conférence

Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Agostino Benvegnu ¹ Enrico Zanoni Denis Barataud ¹ Jean-Luc Roux ² Jean-Luc Muraro ³ Raymond Quéré ¹

1 XLIM-C2S2 - C2S2

XLIM - XLIM

2 CNES - Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]

3 TAS - Thales Alenia Space [Toulouse]

Type de document :

Poster de conférence

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287548
Contributeur : Denis Barataud Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 18:19:18
Dernière modification le : lundi 4 avril 2022 - 16:16:04

Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

28

Reliability investigation of Gallium Nitride transistors for space applications. Electrical modeling of degradation phenomena under RF stress

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

28