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Communication dans un congrès

Systematic study of traps in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on SiC substrate by numerical TCAD simulation

Abstract : no abstract
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01394909
Contributeur : Raphael Sommet <>
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016 - 10:27:06
Dernière modification le : samedi 2 mai 2020 - 16:58:02

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N. K. Subramani, A. K. Sahoo, Jean-Christophe Nallatamby, R. Sommet, R. Quere. Systematic study of traps in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on SiC substrate by numerical TCAD simulation. 2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2016, Lisbon, Portugal. pp.1-4, ⟨10.1109/PRIME.2016.7519485⟩. ⟨hal-01394909⟩

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