Systematic study of traps in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on SiC substrate by numerical TCAD simulation

Abstract : no abstract
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Communication dans un congrès
2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2016, Lisbon, Portugal. pp.1-4, 2016, 〈10.1109/PRIME.2016.7519485〉
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Contributeur : Raphael Sommet <>
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016 - 10:27:06
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:36

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N. K. Subramani, A. K. Sahoo, Jean-Christophe Nallatamby, R. Sommet, R. Quere. Systematic study of traps in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on SiC substrate by numerical TCAD simulation. 2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2016, Lisbon, Portugal. pp.1-4, 2016, 〈10.1109/PRIME.2016.7519485〉. 〈hal-01394909〉

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