Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements
Résumé
no abstract
Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
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Soumis le : jeudi 10 novembre 2016-12:20:52
Dernière modification le : mardi 6 décembre 2022-12:42:12