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Communication dans un congrès
Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements
A.K. Sahoo
1
N.K. Subramani
1
Jean-Christophe Nallatamby
1
Raphaël Sommet
1
R Quéré
1
N Rolland
2
F Medjdoub
2
A.K. Sahoo 1
Auteur
N.K. Subramani 1
Auteur
Jean-Christophe Nallatamby 1
Auteur IdHAL : jean-christophe-nallatamby ORCID : https://orcid.org/0000-0002-5082-3932
Raphaël Sommet 1
Auteur IdHAL : raphael-sommet ORCID : https://orcid.org/0000-0002-4170-1781
R Quéré 1
Auteur
N Rolland 2
Auteur IdHAL : nathalie-rolland
F Medjdoub 2
Auteur IdHAL : faridmedjdoub ORCID : https://orcid.org/0000-0002-4753-4718
1
XLIM-SRF - Systèmes RF (XLIM - 123, avenue Albert Thomas - 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- XLIM - XLIM : SRF (123 Avenue Albert THOMAS 87060 LIMOGES CEDEX - France)
- UNILIM - Université de Limoges (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR 7252 (France)
2
IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 ([Univ. Lille, CNRS, Ecole Centrale Lille, Yncréa-ISEN, UVHC] ––
Laboratoire Central – Cité Scientifique – Avenue Poincaré – CS 60069 – 59652 VILLENEUVE D’ASCQ CEDEX - France)
- Centrale Lille (École Centrale de Lille - Cité Scientifique - CS 20048 59651 Villeneuve d'Ascq Cedex - France)
- Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN) (France)
- UVHC - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (Campus Mont Houy 59313 Valenciennes Cedex 9 - France)
- Université de Lille (Lille - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8520 (France)
- UPHF - Université Polytechnique Hauts-de-France (Campus Mont Houy 59313 Valenciennes Cedex 9 - France)
Abstract : no abstract
Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01395028
Contributeur : Raphael Sommet Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016 - 12:20:52
Dernière modification le : mercredi 22 décembre 2021 - 11:58:09
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Identifiants
- HAL Id : hal-01395028, version 1
Collections
UNILIM | CNRS | XLIM-SRF | XLIM | UNIV-LILLE | UNIV-VALENCIENNES | IEMN
Citation
A.K. Sahoo, N.K. Subramani, Jean-Christophe Nallatamby, Raphaël Sommet, R Quéré, et al.. Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements. Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016, 2016, London, UK, United Kingdom. pp. ⟨hal-01395028⟩
Métriques
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