Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements

A.K. Sahoo; N.K. Subramani; Jean-Christophe Nallatamby; Raphaël Sommet; R Quéré; N Rolland; F Medjdoub

Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements

A.K. Sahoo ¹ N.K. Subramani ¹ Jean-Christophe Nallatamby ¹ Raphaël Sommet ¹ R Quéré ¹ N Rolland ² F Medjdoub ²

1 XLIM-SRF - Systèmes RF

XLIM - XLIM : SRF

2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Abstract : no abstract

Type de document :

Communication dans un congrès

Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016, 2016, London, UK, United Kingdom. pp., 2016

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01395028
Contributeur : Raphael Sommet <>
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016 - 12:20:52
Dernière modification le : samedi 13 octobre 2018 - 01:07:12

Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

120

Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

120