Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements

Abstract : no abstract
Type de document :
Communication dans un congrès
Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016, 2016, London, UK, United Kingdom. pp., 2016
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Contributeur : Raphael Sommet <>
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016 - 12:20:52
Dernière modification le : samedi 13 octobre 2018 - 01:07:12

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  • HAL Id : hal-01395028, version 1

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A.K. Sahoo, N.K. Subramani, Jean-Christophe Nallatamby, Raphaël Sommet, R Quéré, et al.. Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements. Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016, 2016, London, UK, United Kingdom. pp., 2016. 〈hal-01395028〉

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