Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements

A.K. Sahoo
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
N.K. Subramani
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
Jean-Christophe Nallatamby
Systèmes RF
Raphaël Sommet
Systèmes RF
CV
R Quéré
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
N Rolland
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Résumé

no abstract

Domaines

Electronique

Raphael Sommet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://unilim.hal.science/hal-01395028

Soumis le : jeudi 10 novembre 2016-12:20:52

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01395028 , version 1 (10-11-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01395028 , version 1

Citer

A.K. Sahoo, N.K. Subramani, Jean-Christophe Nallatamby, Raphaël Sommet, R Quéré, et al.. Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements. Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016, 2016, London, UK, United Kingdom. pp. ⟨hal-01395028⟩

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