Accéder directement au contenu Accéder directement à la navigation
Communication dans un congrès

On-wafer time-domain characterization of power GaN HEMTs for accurate nonlinear modeling of thermal and trapping effects and their impacts on pulse to pulse reliability

Seifeddine Fakhfakh 1 Marwen Ben Sassi 1 Audrey Martin 1 Guillaume Neveux 1 Denis Barataud 1 Michel Campovecchio 1, * 
* Auteur correspondant
1 XLIM-SRF - Systèmes RF
XLIM - XLIM : SRF
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01741097
Contributeur : Michel Campovecchio Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : jeudi 22 mars 2018 - 16:31:41
Dernière modification le : mardi 4 janvier 2022 - 03:47:04

Identifiants

  • HAL Id : hal-01741097, version 1

Collections

Citation

Seifeddine Fakhfakh, Marwen Ben Sassi, Audrey Martin, Guillaume Neveux, Denis Barataud, et al.. On-wafer time-domain characterization of power GaN HEMTs for accurate nonlinear modeling of thermal and trapping effects and their impacts on pulse to pulse reliability. Workshop on "Reliability of microwave components and electronic systems", Microwave & RF 2018, Mar 2018, PARIS, France. ⟨hal-01741097⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

31