Role of interfacial defects and strain in the metal-insulator transition of epitaxial VO2 films

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Contributeur : Beatrice Derory <>
Soumis le : vendredi 13 juillet 2018 - 10:50:27
Dernière modification le : jeudi 4 juillet 2019 - 16:38:03

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  • HAL Id : hal-01838202, version 1

Citation

Virginie Théry, Alexandre Boulle, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges. Role of interfacial defects and strain in the metal-insulator transition of epitaxial VO2 films. IWAC 07 : 7th International Workshop on Advanced Ceramics, Sep 2016, Limoges, France. ⟨https://iwac07.sciencesconf.org/⟩. ⟨hal-01838202⟩

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