Role of interfacial defects and strain in the metal-insulator transition of epitaxial VO2 films - Archive ouverte HAL

Poster De Conférence Année :

Role of interfacial defects and strain in the metal-insulator transition of epitaxial VO2 films

(1) , (1) , (2) , (3)

1
2
3

Virginie Théry

Fonction : Auteur

Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux

Alexandre Boulle

Fonction : Auteur
PersonId : 176359
IdHAL : alexandre-boulle
ORCID : 0000-0003-1042-6403
IdRef : 074554859

Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux

Aurelian Crunteanu

Fonction : Auteur
PersonId : 6267
IdHAL : aurelian-crunteanu
ORCID : 0000-0001-8648-5368
IdRef : 070472173

RF-ELITE : RF-Electronique Imprimée pour les Télécommunications et l'Energie

Jean-Christophe Orlianges

Fonction : Auteur
PersonId : 972
IdHAL : j-c-orlianges

Axe 2 : procédés plasmas et lasers

Domaines

Chimie Matériaux Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux

BEATRICE DERORY : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01838202

Soumis le : vendredi 13 juillet 2018-10:50:27

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07

Dates et versions

hal-01838202 , version 1 (13-07-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01838202 , version 1

Citer

Virginie Théry, Alexandre Boulle, Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges. Role of interfacial defects and strain in the metal-insulator transition of epitaxial VO2 films. IWAC 07 : 7th International Workshop on Advanced Ceramics, Sep 2016, Limoges, France. . ⟨hal-01838202⟩

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