Strain relaxation in He implanted UO2 polycrystals under thermal treatment: an in-situ XRD study

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Contributeur : Beatrice Derory <>
Soumis le : jeudi 13 septembre 2018 - 14:51:11
Dernière modification le : jeudi 4 juillet 2019 - 16:38:02

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  • HAL Id : hal-01873630, version 1

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H. Palancher, R. Kachnaoui, A. Richard, Jc. Richaud, C. Onofri, et al.. Strain relaxation in He implanted UO2 polycrystals under thermal treatment: an in-situ XRD study. Journal of Nuclear Materials, 2016, 476 (63-76). ⟨hal-01873630⟩

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