On-wafer time-domain measurement of pulse-to-pulse stability and multi-tones load-pull characterization of linearity to improve the nonlinear modeling of thermal/trapping effects in power GaN HEMTs for radar and telecom applications

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Contributeur : Denis Barataud <>
Soumis le : dimanche 10 février 2019 - 15:49:14
Dernière modification le : jeudi 28 février 2019 - 01:15:38

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  • HAL Id : hal-02013184, version 1

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Citation

Denis Barataud, Michel Campovecchio, Audrey Martin, Pierre Medrel, Neveux Guillaume, et al.. On-wafer time-domain measurement of pulse-to-pulse stability and multi-tones load-pull characterization of linearity to improve the nonlinear modeling of thermal/trapping effects in power GaN HEMTs for radar and telecom applications. EuMW 2018, Sep 2018, MAdrid, Spain. ⟨hal-02013184⟩

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