Metal-insulator phase transition oxides for high - frequency electronics, THz and optics applications

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Communication dans un congrès
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Contributeur : Beatrice Derory <>
Soumis le : vendredi 24 mai 2019 - 14:06:32
Dernière modification le : jeudi 4 juillet 2019 - 16:38:03

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  • HAL Id : hal-02139100, version 1

Citation

A. Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Virginie Théry, Alexandre Boulle, A. Bessaudou, et al.. Metal-insulator phase transition oxides for high - frequency electronics, THz and optics applications. Journées Annuelles du GDR OXYFUN 2018, Mar 2018, Piriac sur Mer, France. ⟨hal-02139100⟩

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