Mesures de Transitoires BF/RF Ultra Rapides (13ns). Application à la Caractérisation de Transistors GaN en Stabilité Pulse à Pulse - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Mesures de Transitoires BF/RF Ultra Rapides (13ns). Application à la Caractérisation de Transistors GaN en Stabilité Pulse à Pulse

M Ben-Sassi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1064206
Systèmes RF
G. Neveux
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
Denis Barataud
Systèmes RF

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique
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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-02465529 , version 1

Citer

M Ben-Sassi, G. Neveux, Denis Barataud. Mesures de Transitoires BF/RF Ultra Rapides (13ns). Application à la Caractérisation de Transistors GaN en Stabilité Pulse à Pulse. 21ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM), May 2019, Caen, France. ⟨hal-02465529⟩

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