Wideband, high-efficiency, high-power GaN amplifiers, using MIC and quasi-MMIC technologies, in the 1–4 GHz range - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Microwave and Wireless Technologies Année : 2015

Wideband, high-efficiency, high-power GaN amplifiers, using MIC and quasi-MMIC technologies, in the 1–4 GHz range

Chamssedine Berrached
  • Fonction : Auteur
C2S2
Diane Bouw
  • Fonction : Auteur
Marc Camiade
  • Fonction : Auteur
United Monolithic Semiconductors SAS
Kassem El-Akhdar
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949797
C2S2
Denis Barataud
XLIM
Guillaume Neveux
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 917714
C2S2

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

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Soumis le : mercredi 1 avril 2020-18:48:42

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:15

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Citer

Chamssedine Berrached, Diane Bouw, Marc Camiade, Kassem El-Akhdar, Denis Barataud, et al.. Wideband, high-efficiency, high-power GaN amplifiers, using MIC and quasi-MMIC technologies, in the 1–4 GHz range. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2015, 7 (1), pp.1-12. ⟨10.1017/S1759078714000476⟩. ⟨hal-02528467⟩

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