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Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3

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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-02550874
Contributeur : Beatrice Derory <>
Soumis le : mercredi 22 avril 2020 - 15:34:56
Dernière modification le : jeudi 23 avril 2020 - 01:40:53

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Assil Bouzid, Alfredo Pasquarello. Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Wiley-VCH Verlag, 2019, 13 (8), pp.1800633. ⟨10.1002/pssr.201800633⟩. ⟨hal-02550874⟩

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