Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3

Assil Bouzid; Alfredo Pasquarello

doi:10.1002/pssr.201800633

Article dans une revue

Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3

Assil Bouzid ¹ Alfredo Pasquarello ²

1 IRCER-AXE3 - IRCER - Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux

IRCER - Institut de Recherche sur les CERamiques : AXE3

2 EPFL - Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne

Type de document :

Article dans une revue

Domaine :

Chimie / Matériaux

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-02550874
Contributeur : Beatrice Derory Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mercredi 22 avril 2020 - 15:34:56
Dernière modification le : mercredi 3 novembre 2021 - 08:43:44

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