Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters Année : 2019

Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3

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Chimie Matériaux Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux

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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-02550874

Soumis le : mercredi 22 avril 2020-15:34:56

Dernière modification le : samedi 26 mars 2022-04:29:25

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Dates et versions

hal-02550874 , version 1 (22-04-2020)

Identifiants

Citer

Assil Bouzid, Alfredo Pasquarello. Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, 2019, 13 (8), pp.1800633. ⟨10.1002/pssr.201800633⟩. ⟨hal-02550874⟩

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