Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3 - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters Année : 2019

Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3

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https://unilim.hal.science/hal-02550874

Soumis le : mercredi 22 avril 2020-15:34:56

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

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Dates et versions

hal-02550874 , version 1 (22-04-2020)

Identifiants

Citer

Assil Bouzid, Alfredo Pasquarello. Defect Formation Energies of Interstitial C, Si, and Ge Impurities in β ‐Ga 2 O 3. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, 2019, 13 (8), pp.1800633. ⟨10.1002/pssr.201800633⟩. ⟨hal-02550874⟩

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