Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape

Alaaeddine Ramadan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918000
C2S2
Audrey Martin
XLIM
Tibault Reveyrand
C2S2
Jean-Michel Nebus
C2S2
Philippe Bouysse
C2S2
Luc Lapierre
  • Fonction : Auteur
Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]
J.F. Villemazet
  • Fonction : Auteur
S. Forestier
  • Fonction : Auteur

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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00435747

Soumis le : mardi 24 novembre 2009-16:43:26

Dernière modification le : mercredi 8 février 2023-17:10:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00435747 , version 1 (24-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00435747 , version 1

Citer

Alaaeddine Ramadan, Audrey Martin, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape. European Microwave Conference, 2009, Rome, Italy. ⟨hal-00435747⟩

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