A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications

Jean-Philippe Fraysse 1 Didier Floriot 2 Philippe Auxemery 2 Michel Campovecchio 1, * Raymond Quéré 1 Juan Obregon 1
* Auteur correspondant
1 IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
2 UMS
Type de document :
Communication dans un congrès
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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01067827
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : mercredi 24 septembre 2014 - 10:55:17
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

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Citation

Jean-Philippe Fraysse, Didier Floriot, Philippe Auxemery, Michel Campovecchio, Raymond Quéré, et al.. A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications. IEEE MTT-S International Microwave Symposium on Microwave Theory and Techniques, Jun 1997, Denver, CO, United States. pp. 379-382, ⟨10.1109/MWSYM.1997.602813⟩. ⟨hal-01067827⟩

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