A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications

Jean-Philippe Fraysse; Didier Floriot; Philippe Auxemery; Michel Campovecchio; Raymond Quéré; Juan Obregon

doi:10.1109/MWSYM.1997.602813

Communication dans un congrès

A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications

Jean-Philippe Fraysse ¹ Didier Floriot ² Philippe Auxemery ² Michel Campovecchio ^{1, *} Raymond Quéré ¹ Juan Obregon ¹

* Auteur correspondant

1 IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

2 UMS

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Electronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01067827
Contributeur : Michel Campovecchio Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mercredi 24 septembre 2014 - 10:55:17
Dernière modification le : mercredi 20 octobre 2021 - 01:31:04

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