A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1997

A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications

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Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

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Soumis le : mercredi 24 septembre 2014-10:55:17

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:59

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Dates et versions

hal-01067827 , version 1 (24-09-2014)

Identifiants

Citer

Jean-Philippe Fraysse, Didier Floriot, Philippe Auxemery, Michel Campovecchio, Raymond Quéré, et al.. A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications. IEEE MTT-S International Microwave Symposium on Microwave Theory and Techniques, Jun 1997, Denver, CO, United States. pp. 379-382, ⟨10.1109/MWSYM.1997.602813⟩. ⟨hal-01067827⟩

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