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Communication dans un congrès
A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications
Jean-Philippe Fraysse
1
Didier Floriot
2
Philippe Auxemery
2
Michel Campovecchio
1, *
Raymond Quéré
1
Juan Obregon
1
*
Auteur correspondant
2
UMS
Jean-Philippe Fraysse 1
Auteur
Didier Floriot 2
Auteur
Philippe Auxemery 2
Auteur
Michel Campovecchio 1
Auteur correspondant IdHAL : michel-campovecchio
Raymond Quéré 1
Auteur IdHAL : raymond-quere
Juan Obregon 1
Auteur
1
IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes (Université de Limoges Faculté des Sciences et Technqiues 123 avenue Albert Thomas 87060 LIMOGES CEDEX
- France)
- UNILIM - Université de Limoges : UMR6615 (33 rue François Mitterrand BP23204 87032 Limoges - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6615 (France)
Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01067827
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : mercredi 24 septembre 2014 - 10:55:17
Dernière modification le : dimanche 1 décembre 2019 - 16:54:01
Contributeur : Michel Campovecchio <>
Soumis le : mercredi 24 septembre 2014 - 10:55:17
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Identifiants
- HAL Id : hal-01067827, version 1
- DOI : 10.1109/MWSYM.1997.602813
Citation
Jean-Philippe Fraysse, Didier Floriot, Philippe Auxemery, Michel Campovecchio, Raymond Quéré, et al.. A non-quasi-static model of GaInP/GaAs HBT for power applications. IEEE MTT-S International Microwave Symposium on Microwave Theory and Techniques, Jun 1997, Denver, CO, United States. pp. 379-382, ⟨10.1109/MWSYM.1997.602813⟩. ⟨hal-01067827⟩
Métriques
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