A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 1999

A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements

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Dates et versions

hal-01287611 , version 1 (13-03-2016)

Identifiants

Citer

Delphine Sirieix, Olivier Noblanc, Denis Barataud, Eric Chartier. A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements. IEEE Transactions on Electron Devices, 1999, 46 (3), pp.580-584. ⟨10.1109/16.748881⟩. ⟨hal-01287611⟩

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