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A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements

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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01287611
Contributeur : Denis Barataud Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 23:24:38
Dernière modification le : lundi 4 avril 2022 - 16:22:02

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Delphine Sirieix, Olivier Noblanc, Denis Barataud, Eric Chartier. A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1999, 46 (3), pp.580-584. ⟨10.1109/16.748881⟩. ⟨hal-01287611⟩

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