A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements

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IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1999, 46 (3), pp.580-584. 〈10.1109/16.748881〉
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Contributeur : Denis Barataud <>
Soumis le : dimanche 13 mars 2016 - 23:24:38
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:17:28

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Delphine Sirieix, Olivier Noblanc, Denis Barataud, Eric Chartier. A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1999, 46 (3), pp.580-584. 〈10.1109/16.748881〉. 〈hal-01287611〉

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