Optimized nc-Si:H thin films with enhanced optoelectronic properties prepared by micro-waves PECVD used as an effective silicon surface passivation layer

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Contributeur : Beatrice Derory <>
Soumis le : mercredi 3 juillet 2019 - 15:51:31
Dernière modification le : jeudi 4 juillet 2019 - 05:29:53

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Seif El Whibi, Lotfi Derbali, Pascal Tristant, Cédric Jaoul, Maggy Colas, et al.. Optimized nc-Si:H thin films with enhanced optoelectronic properties prepared by micro-waves PECVD used as an effective silicon surface passivation layer. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Springer Verlag, 2019, 30 (3), pp.2351-2359. ⟨10.1007/s10854-018-0508-9⟩. ⟨hal-02172223⟩

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