Optimized nc-Si:H thin films with enhanced optoelectronic properties prepared by micro-waves PECVD used as an effective silicon surface passivation layer

Seif El Whibi; Lotfi Derbali; Pascal Tristant; Cédric Jaoul; Maggy Colas; Richard Mayet; Julie Cornette; Hatem Ezzaouia

doi:10.1007/s10854-018-0508-9

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Optimized nc-Si:H thin films with enhanced optoelectronic properties prepared by micro-waves PECVD used as an effective silicon surface passivation layer

Seif El Whibi Lotfi Derbali Pascal Tristant ¹ Cédric Jaoul ¹ Maggy Colas ² Richard Mayet ³ Julie Cornette ² Hatem Ezzaouia ⁴

1 IRCER-AXE2 - IRCER - Axe 2 : procédés plasmas et lasers

IRCER - Institut de Recherche sur les CERamiques : AXE2

2 IRCER-AXE3 - IRCER - Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux

IRCER - Institut de Recherche sur les CERamiques : AXE3

3 IRCER - Institut de Recherche sur les CERamiques

4 LSNTA - Laboratory of Semiconductors, Nanostructures and Advanced Technology

Type de document :

Article dans une revue

Domaine :

Chimie / Matériaux

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-02172223
Contributeur : BEATRICE DERORY Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mercredi 3 juillet 2019 - 15:51:31
Dernière modification le : samedi 26 mars 2022 - 04:29:46

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