Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface and Coatings Technology Année : 2013

Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition

Gustavo Sanchez
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 849618
Departamento de Ingeniera de Materiales
Pascal Tristant
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Christelle Dublanche-Tixier
Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
Florent Tetard
FINANO
A. Bologna
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 955774
Departamento de Ingenieria de Materiales

Domaines

Matériaux

Christelle Dublanche Tixier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://unilim.hal.science/hal-00985449

Soumis le : mardi 29 avril 2014-16:55:32

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00985449 , version 1 (29-04-2014)

Identifiants

Citer

Gustavo Sanchez, Pascal Tristant, Christelle Dublanche-Tixier, Florent Tetard, A. Bologna. Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition. Surface and Coatings Technology, 2013, pp.SCT-18981. ⟨10.1016/j.surfcoat.2013.10⟩. ⟨hal-00985449⟩

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