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Characterization of Parasitic Resistances of AlN/GaN/AlGaN HEMTs Through TCAD-Based Device Simulations and On-Wafer Measurements

Abstract : no abstract
Type de document :
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https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01394908
Contributeur : Raphael Sommet <>
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016 - 10:27:04
Dernière modification le : samedi 2 mai 2020 - 16:58:02

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Citation

N. K. Subramani, A. K. Sahoo, Jean-Christophe Nallatamby, R. Sommet, N. Rolland, et al.. Characterization of Parasitic Resistances of AlN/GaN/AlGaN HEMTs Through TCAD-Based Device Simulations and On-Wafer Measurements. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 64 (5), pp.1351-1358. ⟨10.1109/TMTT.2016.2549528⟩. ⟨hal-01394908⟩

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