Mesures de Transitoires BF/RF Ultra Rapides (13ns). Application à la Caractérisation de Transistors GaN en Stabilité Pulse à Pulse - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année :

Mesures de Transitoires BF/RF Ultra Rapides (13ns). Application à la Caractérisation de Transistors GaN en Stabilité Pulse à Pulse

M Ben-Sassi
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  • PersonId : 1064206
Systèmes RF
G. Neveux
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Systèmes RF
Denis Barataud
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Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique
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Soumis le : mardi 4 février 2020-00:40:58

Dernière modification le : mercredi 8 février 2023-17:11:11

Archivage à long terme le : mardi 5 mai 2020-13:01:11

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Dates et versions

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Identifiants

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Citer

M Ben-Sassi, G. Neveux, Denis Barataud. Mesures de Transitoires BF/RF Ultra Rapides (13ns). Application à la Caractérisation de Transistors GaN en Stabilité Pulse à Pulse. 21ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM), May 2019, Caen, France. ⟨hal-02465529⟩

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